Enhanced third-harmonic generation in Si-compatible epsilon-near-zero indium tin oxide nanolayers

We experimentally demonstrate enhanced third-harmonic generation from indium tin oxide nanolayers at telecommunication wavelengths with an efficiency that is approximately 600 times larger than crystalline silicon (Si). The increased optical nonlinearity of the fabricated nanolayers is driven by the...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Optics letters Ročník 40; číslo 7; s. 1500
Hlavní autoři: Capretti, Antonio, Wang, Yu, Engheta, Nader, Dal Negro, Luca
Médium: Journal Article
Jazyk:angličtina
Vydáno: United States 01.04.2015
ISSN:1539-4794, 1539-4794
On-line přístup:Zjistit podrobnosti o přístupu
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!
Nejprve se musíte přihlásit.