Enhanced third-harmonic generation in Si-compatible epsilon-near-zero indium tin oxide nanolayers
We experimentally demonstrate enhanced third-harmonic generation from indium tin oxide nanolayers at telecommunication wavelengths with an efficiency that is approximately 600 times larger than crystalline silicon (Si). The increased optical nonlinearity of the fabricated nanolayers is driven by the...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Optics letters Ročník 40; číslo 7; s. 1500 |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , , |
| Médium: | Journal Article |
| Jazyk: | angličtina |
| Vydáno: |
United States
01.04.2015
|
| ISSN: | 1539-4794, 1539-4794 |
| On-line přístup: | Zjistit podrobnosti o přístupu |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!