Growth temperature induced changes of luminescence in epitaxial BN: from colour centres to donor-acceptor recombination

Defects play a very important role in semiconductors and only the control over the defect properties allows the implementation of materials in dedicated applications. We present an investigation of the UV luminescence of defects in hexagonal boron nitride (h-BN) grown by Metal Organic Vapor Phase Ep...

Celý popis

Uloženo v:

Podrobná bibliografie
Vydáno v:	Nanoscale Ročník 15; číslo 22; s. 9864
Hlavní autoři:	Korona, K P, Binder, J, Dąbrowska, A K, Iwański, J, Reszka, A, Korona, T, Tokarczyk, M, Stępniewski, R, Wysmołek, A
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	England 08.06.2023
ISSN:	2040-3372, 2040-3372
On-line přístup:	Zjistit podrobnosti o přístupu
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!