Growth temperature induced changes of luminescence in epitaxial BN: from colour centres to donor-acceptor recombination

Defects play a very important role in semiconductors and only the control over the defect properties allows the implementation of materials in dedicated applications. We present an investigation of the UV luminescence of defects in hexagonal boron nitride (h-BN) grown by Metal Organic Vapor Phase Ep...

Celý popis

Uložené v:

Podrobná bibliografia
Vydané v:	Nanoscale Ročník 15; číslo 22; s. 9864
Hlavní autori:	Korona, K P, Binder, J, Dąbrowska, A K, Iwański, J, Reszka, A, Korona, T, Tokarczyk, M, Stępniewski, R, Wysmołek, A
Médium:	Journal Article
Jazyk:	English
Vydavateľské údaje:	England 08.06.2023
ISSN:	2040-3372, 2040-3372
On-line prístup:	Zistit podrobnosti o prístupe
Tagy:	Pridať tag Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!

Buďte prvý, kto okomentuje tento záznam!