Nano-scale MOSFET device modelling with quantum mechanical effects
The continuing down-scaling trend of CMOS technology has brought serious deterioration in the accuracy of the SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) device models used in the design of chip functions. This is due to in part to hot electron and quantum effects that occur in moder...
Uloženo v:
| Vydáno v: | European journal of applied mathematics Ročník 17; číslo 4; s. 465 - 489 |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , |
| Médium: | Journal Article |
| Jazyk: | angličtina |
| Vydáno: |
Cambridge, UK
Cambridge University Press
01.08.2006
|
| Témata: | |
| ISSN: | 0956-7925, 1469-4425 |
| On-line přístup: | Získat plný text |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!