Phonon thermal transport and its tunability in GaN for near-junction thermal management of electronics: A review
•Heat dissipation issues at near-junction region of GaN HEMT are reviewed comprehensively.•Phonon transport properties in GaN and GaN nanostructures are discussed based on both computations and experiments.•Phonon transport tuning mechanisms in perspectives of particle, wave, and topological nature...
Uloženo v:
| Vydáno v: | International journal of heat and mass transfer Ročník 200; s. 123497 |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , |
| Médium: | Journal Article |
| Jazyk: | angličtina |
| Vydáno: |
Elsevier Ltd
01.01.2023
|
| ISSN: | 0017-9310, 1879-2189 |
| On-line přístup: | Získat plný text |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!