Hall characterization of epitaxial GaSb and AlGaAsSb layers using p-n junctions on GaSb substrates

•Hall methodology for antimonides, grown on conducting GaSb substrates.•Comparison of the GaSb Hall layer morphologies, grown on GaSb versus GaAs.•Comparison of Hall properties of p- and n-GaSb, grown on GaSb versus GaAs.•Successful Hall measurements of p-AlGaAsSb layers grown on GaSb. The Hall Van-...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of crystal growth Jg. 496-497; S. 36 - 42
Hauptverfasser: Predan, F., Ohlmann, J., Mrabet, S., Dimroth, F., Lackner, D.
Format: Journal Article
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Amsterdam Elsevier B.V 01.08.2018
Elsevier BV
Schlagworte:
ISSN:0022-0248, 1873-5002
Online-Zugang:Volltext
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