Hall characterization of epitaxial GaSb and AlGaAsSb layers using p-n junctions on GaSb substrates
•Hall methodology for antimonides, grown on conducting GaSb substrates.•Comparison of the GaSb Hall layer morphologies, grown on GaSb versus GaAs.•Comparison of Hall properties of p- and n-GaSb, grown on GaSb versus GaAs.•Successful Hall measurements of p-AlGaAsSb layers grown on GaSb. The Hall Van-...
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| Veröffentlicht in: | Journal of crystal growth Jg. 496-497; S. 36 - 42 |
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| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Journal Article |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Amsterdam
Elsevier B.V
01.08.2018
Elsevier BV |
| Schlagworte: | |
| ISSN: | 0022-0248, 1873-5002 |
| Online-Zugang: | Volltext |
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