Improving the quality of meshes for the simulation of semiconductor devices using Lepp-based algorithms

This paper discusses a new post‐process algorithm for generating valid Delaunay meshes for the Box‐method (finite‐volume method) as required in semiconductor device simulation. In such an application, the following requirements must be considered: (i) in critical zones of the device, edges aligned w...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	International journal for numerical methods in engineering Ročník 58; číslo 2; s. 333 - 347
Hlavní autoři:	Hitschfeld, N., Villablanca, L., Krause, J., Rivara, M. C.
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	Chichester, UK John Wiley & Sons, Ltd 14.09.2003
Témata:	control volume method Delaunay meshes Lepp-based algorithms non-obtuse boundary meshes semiconductor device simulation
ISSN:	0029-5981, 1097-0207
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!