Heterogeneous SRAM Cell Sizing for Low-Power H.264 Applications

In low-voltage operation, static random-access memory (SRAM) bit-cells suffer from large failure probabilities with technology scaling. With the increasing failures, conventional SRAM memory is still designed without considering the importance differences found among the data stored in the SRAM bit-...

Celý popis

Uloženo v:

Podrobná bibliografie
Vydáno v:	IEEE transactions on circuits and systems. I, Regular papers Ročník 59; číslo 10; s. 2275 - 2284
Hlavní autoři:	Kwon, Jinmo, Chang, Ik Joon, Lee, Insoo, Park, Heemin, Park, Jongsun
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	New York IEEE 01.10.2012 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)
Témata:	Algorithms Arrays Buffer storage Degradation Dynamic programming Electric potential Failure H.264 systems Heuristic algorithms low-power static random-access memory (SRAM) Noise levels PSNR Random access memory Sizing SRAM bit-cell Static random access memory Streaming media Studies Transistors Voltage
ISSN:	1549-8328, 1558-0806
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!