The electrothermal impact on a contact metal-semiconductor: applications to the germanium–silver system

Purpose This study aims to examine the electromigration processes resulting from thermal overloads of semiconductor devices. While in operation, parts of such devices can heat up to 330°C for a short period, resulting in the emergence of molten zones and the devices’ inevitable degradation. Therefor...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Microelectronics international Ročník 35; číslo 4; s. 197 - 202
Hlavní autoři: Skvortsov, Arkadiy, Khripach, Nikolay A, Papkin, Boris A, Pshonkin, Danila E
Médium: Journal Article
Jazyk:angličtina
Vydáno: Bradford Emerald Publishing Limited 01.10.2018
Emerald Group Publishing Limited
Témata:
ISSN:1356-5362, 1758-812X
On-line přístup:Získat plný text
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!
Nejprve se musíte přihlásit.