Origination and evolution of point defects in AlN film annealed at high temperature

While high temperature annealing has been proven to be an effective strategy to reduce threading dislocation density of AlN film, the point defect induced near-ultraviolet emission increases dramatically with the increase in annealing temperature, and thus limits its application in deep ultraviolet...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Journal of luminescence Ročník 235; s. 118032
Hlavní autoři:	Kai, Cuihong, Zang, Hang, Ben, Jianwei, Jiang, Ke, Shi, Zhiming, Jia, Yuping, Cao, Xingzhong, Lü, Wei, Sun, Xiaojuan, Li, Dabing
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	Elsevier B.V 01.07.2021
Témata:	AlN Evolution mechanism High temperature annealing Point defects AlN Point defects Evolution mechanism High temperature annealing
ISSN:	0022-2313, 1872-7883
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!