Photovoltage improvements in Cz-Si by low-energy implantation of carbon ions

We demonstrate photovoltage improvements in Czochralski-grown silicon wafers by low-energy implantation of carbon ions. After annealing at temperatures above 550 °C the surface photovoltage (SPV) increases in both implanted and unimplanted sample sets. The increase in the SPV signal observed in impl...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Materials Research Express Ročník 3; číslo 5; s. 55017
Hlavní autoři:	Nadtochiy, A, Korotchenkov, O, Romanyuk, B, Melnik, V, Popov, V
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	IOP Publishing 01.05.2016
Témata:	Annealing Carbon Decay Defects implantation Low energy photovoltage Photovoltages shallow junction Silicon Wafers
ISSN:	2053-1591, 2053-1591
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!