Channel Parameter and Read Reference Voltages Estimation in 3-D NAND Flash Memory Using Unsupervised Learning Algorithms

In 3-D NAND flash memory, the channel is always offset due to the complicated interference from the program/erase (PE), including the data retention and layer interference, so that the channel estimation is desired. However, due to the physical structure of 3-D flash memory, there exists significant...

Celý popis

Uloženo v:

Podrobná bibliografie
Vydáno v:	IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems Ročník 43; číslo 1; s. 305 - 318
Hlavní autoři:	Hu, Haihua, Han, Guojun, Wu, Wenhua, Liu, Chang
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	New York IEEE 01.01.2024 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)
Témata:	3-D NAND flash memory Algorithms Channel estimation Error analysis Error correction Estimation Flash memories Flash memory (computers) Interference low complexity Machine learning Memory Parameter estimation Parameters read reference voltage (RRV) Search algorithms Threshold voltage Unsupervised learning unsupervised learning algorithm
ISSN:	0278-0070, 1937-4151
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!