Reliable Hybrid Small-Signal Modeling of GaN HEMTs Based on Particle-Swarm-Optimization

This paper presents an efficient parameter extraction method applied to GaN high electron mobility transistors. The procedure only relies on <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">{S} </tex-math></inline-formula>-parameter measurements at cold bias conditions t...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems Jg. 37; H. 9; S. 1816 - 1824
Hauptverfasser:	Hussein, Ahmed S., Jarndal, Anwar H.
Format:	Journal Article
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	New York IEEE 01.09.2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)
Schlagworte:	Capacitance Computer simulation Electron mobility Gallium nitride GaN high electron mobility transistor (HEMT) HEMTs High electron mobility transistors Mathematical models MODFETs Optimization Parameters parameters extraction Particle swarm optimization particle swarm optimization (PSO) Reliability Semiconductor devices small-signal modeling Solid modeling
ISSN:	0278-0070, 1937-4151
Online-Zugang:	Volltext
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