Reliable Hybrid Small-Signal Modeling of GaN HEMTs Based on Particle-Swarm-Optimization

This paper presents an efficient parameter extraction method applied to GaN high electron mobility transistors. The procedure only relies on <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">{S} </tex-math></inline-formula>-parameter measurements at cold bias conditions t...

Celý popis

Uložené v:

Podrobná bibliografia
Vydané v:	IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems Ročník 37; číslo 9; s. 1816 - 1824
Hlavní autori:	Hussein, Ahmed S., Jarndal, Anwar H.
Médium:	Journal Article
Jazyk:	English
Vydavateľské údaje:	New York IEEE 01.09.2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)
Predmet:	Capacitance Computer simulation Electron mobility Gallium nitride GaN high electron mobility transistor (HEMT) HEMTs High electron mobility transistors Mathematical models MODFETs Optimization Parameters parameters extraction Particle swarm optimization particle swarm optimization (PSO) Reliability Semiconductor devices small-signal modeling Solid modeling
ISSN:	0278-0070, 1937-4151
On-line prístup:	Získať plný text
Tagy:	Pridať tag Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!

Buďte prvý, kto okomentuje tento záznam!