RC-NVM: Dual-Addressing Non-Volatile Memory Architecture Supporting Both Row and Column Memory Accesses

Although emerging non-volatile memories (NVMs) have been comprehensively studied to design next-generation memory systems, the symmetry of the crossbar structure adopted by most NVMs has not been addressed. In this work, we argue that crossbar-based NVMs can enable dual-addressing memory architectur...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:IEEE transactions on computers Ročník 68; číslo 2; s. 239 - 254
Hlavní autoři: Li, Shuo, Xiao, Nong, Wang, Peng, Sun, Guangyu, Wang, Xiaoyang, Chen, Yiran, Li, Hai Helen, Cong, Jason, Zhang, Tao
Médium: Journal Article
Jazyk:angličtina
Vydáno: New York IEEE 01.02.2019
The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)
Témata:
ISSN:0018-9340, 1557-9956
On-line přístup:Získat plný text
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!
Nejprve se musíte přihlásit.