All‐Electrical Programmable Domain‐Wall Spin Logic‐In‐Memory Device

Control of spins by spin–orbit torque brings novel strategies to design spintronic devices with potentially high impact in data storage and logic‐in‐memory computing architectures. Although various attempts have been proposed to avoid the participation of magnetic field during magnetization switchin...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Advanced electronic materials Jg. 8; H. 10
Hauptverfasser:	Wang, Weiyang, Sheng, Yu, Zheng, Yuanhui, Ji, Yang, Wang, Kaiyou
Format:	Journal Article
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	01.10.2022
Schlagworte:	domain walls Dzyaloshinskii–Moriya interactions field‐free switching spin logic‐in‐memory spin–orbit torque
ISSN:	2199-160X, 2199-160X
Online-Zugang:	Volltext
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