Carrier confinement in Ge/Si quantum dots grown with an intermediate ultrathin oxide layer

We present computational results for strain effects on charge carrier confinement in Ge Si[sub 1-x] quantum dots (QDs) grown on an oxidized Si surface. The strain and free carrier probability density distributions are obtained using the continuum elasticity theory and the effective-mass approximatio...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Physical review. B, Condensed matter and materials physics Ročník 85; číslo 7
Hlavní autoři:	Kuryliuk, V., Korotchenkov, O., Cantarero, A.
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	08.02.2012
Témata:	Carriers Charge carriers Confinement Germanium Mathematical analysis Quantum dots Silicon Strain
ISSN:	1098-0121, 1550-235X
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!