Pennathur, S., Sandalci, C. K., Koç, Ç. K., & Goodnick, S. M. (1998). 3D Parallel Monte Carlo Simulation of GaAs MESFETs. VLSI design (Yverdon, Switzerland), 6(1-4), 273-276. https://doi.org/10.1155/1998/64531
Citace podle Chicago (17th ed.)Pennathur, S., Can K. Sandalci, Çetin K. Koç, a S. M. Goodnick. "3D Parallel Monte Carlo Simulation of GaAs MESFETs." VLSI Design (Yverdon, Switzerland) 6, no. 1-4 (1998): 273-276. https://doi.org/10.1155/1998/64531.
Citace podle MLA (9th ed.)Pennathur, S., et al. "3D Parallel Monte Carlo Simulation of GaAs MESFETs." VLSI Design (Yverdon, Switzerland), vol. 6, no. 1-4, 1998, pp. 273-276, https://doi.org/10.1155/1998/64531.
Upozornění: Tyto citace jsou generovány automaticky. Nemusí být zcela správně podle citačních pravidel..