A Silicon-Based D-Band Miniaturized Diplexer Using Perturbed Dual-Mode Junction-Cavity

A D-band silicon-based diplexer is proposed using metallized rectangular waveguide cavities (MRWCs). Perturbed dual-mode junction-cavity is achieved as the connection network to form the lower and upper channels. The synthesized, simulated, and measured S-parameters of the diplexer show a good agree...

Celý popis

Uloženo v:

Podrobná bibliografie
Vydáno v:	IEEE transactions on microwave theory and techniques Ročník 73; číslo 9; s. 5918 - 5928
Hlavní autoři:	Zhang, Zi-Qi, Zhou, Liang, Zhang, Cheng-Rui, Zhou, Kang
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	New York IEEE 01.09.2025 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)
Témata:	Bandwidth Bandwidths Channels Communications systems Couplings D-band Diplexers Electric fields Fabrication Holes Insertion loss Loss measurement low loss metallized rectangular waveguide cavity (MRWC) Metallizing miniaturization Passband perturbed dual-mode junction-cavity Radio frequency Rectangular waveguides Silicon silicon-based diplexer Topology
ISSN:	0018-9480, 1557-9670
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!