Optimal Design of 100-2000 V 4H-SiC Power MOSFETs Using Multi-Objective Particle Swarm Optimization Algorithms

This work employed the particle swarm optimization (PSO) algorithm to assess the trade-off between breakdown voltage (BV) and on-state resistance (<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">\text{R}_{\textit {DS},\textit {on}}{)} </tex-math></inline-formula> in 4H-...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters Jg. 45; H. 5; S. 786 - 788
Hauptverfasser:	Luo, Runding, Sun, Botao, Hou, Xinlan, Shi, Wenhua, Zhang, Guoqi, Fan, Jiajie
Format:	Journal Article
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	New York IEEE 01.05.2024 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)
Schlagworte:	Algorithms Design parameters Doping Electronic devices Field effect transistors JFET JFETs Metal oxide semiconductors Metal oxides MOSFET MOSFETs multi-objective optimization Multiple objective analysis Numerical models Optimization Particle swarm optimization Resistance Semiconductor devices SiC Silicon carbide Thickness Threshold voltage Transistors
ISSN:	0741-3106, 1558-0563
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!