Integration of Non‐Volatile Multi‐Bit Storage and Logic Computing in GaN Enhancement‐Mode Devices for In‐Memory Computing

Silicon‐based in‐memory computing, through seamless integration of computation and storage capabilities, offers a promising solution to the data transfer bottlenecks inherent in traditional von Neumann architectures, addressing the growing demands of big data and artificial intelligence applications...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Advanced functional materials
Hlavní autoři:	Yu, Hao, Liu, Huangbai, Li, Lei, Duan, Xinqing, Peng, Zehui, Lu, Lei, Lin, Xinnan, Chang, Kuan‐Chang
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	28.08.2025
ISSN:	1616-301X, 1616-3028
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!