AlGaN/GaN-HEMTs with a breakdown voltage higher than 100 V and maximum oscillation frequency f max as high as 100 GHz

Uloženo v:

Podrobná bibliografie
Vydáno v:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) Ročník 43; číslo 4; s. 537 - 543
Hlavní autoři:	Mokerov, V. G., Kuznetsov, A. L., Fedorov, Yu. V., Bugaev, A. S., Pavlov, A. Yu, Enyushkina, E. N., Gnatyuk, D. L., Zuev, A. V., Galiev, R. R., Ovcharenko, E. N., Sveshnikov, Yu. N., Tsatsulnikov, A. F., Ustinov, V. M.
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	01.04.2009
ISSN:	1063-7826, 1090-6479
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Popis
ISSN:	1063-7826 1090-6479
DOI:	10.1134/S1063782609040253