First-order SPICE modeling of SiC p- and n-channel side-gate JFETs toward high-temperature complementary JFET ICs

A device model of silicon carbide (SiC) p- and n-channel junction field-effect transistors (JFETs) applicable in a high-temperature range was constructed, and the validity of the model was evaluated in Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis (SPICE) simulations. The constructed device mo...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	APL Electronic Devices Jg. 1; H. 2
Hauptverfasser:	Maeda, Noriyuki, Kaneko, Mitsuaki, Tanaka, Hajime, Kimoto, Tsunenobu
Format:	Journal Article
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	01.06.2025
ISSN:	2995-8423, 2995-8423
Online-Zugang:	Volltext
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