First-order SPICE modeling of SiC p- and n-channel side-gate JFETs toward high-temperature complementary JFET ICs

A device model of silicon carbide (SiC) p- and n-channel junction field-effect transistors (JFETs) applicable in a high-temperature range was constructed, and the validity of the model was evaluated in Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis (SPICE) simulations. The constructed device mo...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	APL Electronic Devices Ročník 1; číslo 2
Hlavní autoři:	Maeda, Noriyuki, Kaneko, Mitsuaki, Tanaka, Hajime, Kimoto, Tsunenobu
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	01.06.2025
ISSN:	2995-8423, 2995-8423
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!