Reduction of Charge Traps and Stability Enhancement in Solution-Processed Organic Field-Effect Transistors Based on a Blended n-type Semiconductor
Solution-processed n-type organic field-effect transistors (OFETs) are essential elements for developing large-area, low-cost, and all organic logic/complementary circuits. Nonetheless, the development of air-stable n-type organic semiconductors (OSC) lags behind their p-type counterparts. The trapp...
Uložené v:
| Vydané v: | ACS applied materials & interfaces Ročník 10; číslo 18; s. 15952 |
|---|---|
| Hlavní autori: | , , , |
| Médium: | Journal Article |
| Jazyk: | English |
| Vydavateľské údaje: |
United States
09.05.2018
|
| ISSN: | 1944-8252, 1944-8252 |
| On-line prístup: | Zistit podrobnosti o prístupe |
| Tagy: |
Pridať tag
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Buďte prvý, kto okomentuje tento záznam!