Reduction of Charge Traps and Stability Enhancement in Solution-Processed Organic Field-Effect Transistors Based on a Blended n-type Semiconductor

Solution-processed n-type organic field-effect transistors (OFETs) are essential elements for developing large-area, low-cost, and all organic logic/complementary circuits. Nonetheless, the development of air-stable n-type organic semiconductors (OSC) lags behind their p-type counterparts. The trapp...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	ACS applied materials & interfaces Ročník 10; číslo 18; s. 15952
Hlavní autoři:	Campos, Antonio, Riera-Galindo, Sergi, Puigdollers, Joaquim, Mas-Torrent, Marta
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	United States 09.05.2018
ISSN:	1944-8252, 1944-8252
On-line přístup:	Zjistit podrobnosti o přístupu
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!