Photoluminescence Enhancement by Band Alignment Engineering in MoS2/FePS3 van der Waals Heterostructures

Single-layer semiconducting transition metal dichalcogenides (2H-TMDs) display robust excitonic photoluminescence emission, which can be improved by controlled changes to the environment and the chemical potential of the material. However, a drastic emission quench has been generally observed when T...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:ACS applied materials & interfaces
Hlavní autoři: Ramos, Maria, Marques-Moros, Francisco, Esteras, Dorye L, Mañas-Valero, Samuel, Henríquez-Guerra, Eudomar, Gadea, Marcos, Baldoví, José J, Canet-Ferrer, Josep, Coronado, Eugenio, Calvo, M Reyes
Médium: Journal Article
Jazyk:angličtina
Vydáno: 15.07.2022
ISSN:1944-8252, 1944-8252
On-line přístup:Zjistit podrobnosti o přístupu
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!
Nejprve se musíte přihlásit.