Large-Area Epitaxial Monolayer MoS2

Two-dimensional semiconductors such as MoS2 are an emerging material family with wide-ranging potential applications in electronics, optoelectronics, and energy harvesting. Large-area growth methods are needed to open the way to applications. Control over lattice orientation during growth remains a...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	ACS nano Ročník 9; číslo 4; s. 4611 - 4620
Hlavní autoři:	Dumcenco, Dumitru, Ovchinnikov, Dmitry, Marinov, Kolyo, Lazić, Predrag, Gibertini, Marco, Marzari, Nicola, Sanchez, Oriol Lopez, Kung, Yen-Cheng, Krasnozhon, Daria, Chen, Ming-Wei, Bertolazzi, Simone, Gillet, Philippe, Fontcuberta i Morral, Anna, Radenovic, Aleksandra, Kis, Andras
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	United States American Chemical Society 28.04.2015
Témata:	two-dimensional materials electronic transport grain boundaries MoS2 epitaxial growth Kelvin probe force microscopy
ISSN:	1936-0851, 1936-086X, 1936-086X
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!