Flip-N-Write a simple deterministic technique to improve PRAM write performance, energy and endurance

The phase-change random access memory (PRAM) technology is fast maturing to production levels. Main advantages of PRAM are non-volatility, byte addressability, in-place programmability, low-power operation, and higher write endurance than that of current flash memories. However, the relatively low w...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:2009 42nd Annual IEEE/ACM International Symposium on Microarchitecture (MICRO) S. 347 - 357
Hauptverfasser: Cho, Sangyeun, Lee, Hyunjin
Format: Tagungsbericht
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: New York, NY, USA ACM 12.12.2009
IEEE
Schriftenreihe:ACM Conferences
Schlagworte:
ISBN:9781605587981, 1605587982
ISSN:1072-4451
Online-Zugang:Volltext
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