Flip-N-Write a simple deterministic technique to improve PRAM write performance, energy and endurance

The phase-change random access memory (PRAM) technology is fast maturing to production levels. Main advantages of PRAM are non-volatility, byte addressability, in-place programmability, low-power operation, and higher write endurance than that of current flash memories. However, the relatively low w...

Celý popis

Uloženo v:

Podrobná bibliografie
Vydáno v:	2009 42nd Annual IEEE/ACM International Symposium on Microarchitecture (MICRO) s. 347 - 357
Hlavní autoři:	Cho, Sangyeun, Lee, Hyunjin
Médium:	Konferenční příspěvek
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	New York, NY, USA ACM 12.12.2009 IEEE
Edice:	ACM Conferences
Témata:	Bandwidth Computer systems organization > Dependable and fault-tolerant systems and networks Flash memory General and reference > Cross-computing tools and techniques > Performance Hardware > Integrated circuits > Semiconductor memory Inspection memory write performance Microarchitecture Networks > Network performance evaluation Nonvolatile memory Permission Phase change memory Phase change random access memory Random access memory Scalability phase-change memory memory write performance
ISBN:	9781605587981, 1605587982
ISSN:	1072-4451
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!