Defects in silicon : Proceedings of symp. B on science and technology of the 1989 E-MRS conf., Strasbourg, France, 30 May - 2 June 1989 /

Uložené v:
Podrobná bibliografia
Hlavný autor: Chantre, A.
Korporativný autor: Proceedings of symp. B on science and technology of the 1989 E-MRS conf. France, Strasbourg
Ďalší autori: Ammerlaan, C. A. J. (Editor), Wagner, P.
Médium: Konferenčný príspevok.. Kniha
Jazyk:English
Vydavateľské údaje: Amsterdam : North-Holland Publishing, 1989
Vydanie:[1st ed.]
Edícia:European Materials Research Society symposia proceedings Vol. 9
Predmet:
ISBN:0444886192
On-line prístup: Získať plný text
Tagy: Pridať tag
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!

MARC

LEADER 00000nam a2200000 4500
003 SK-BrCVT
005 20220617192239.0
008 950804s1989 ne e ||||||eng d
020 |a 0444886192 
035 |a CVTIDW0933533 
040 |b slo  |a CVTI SR 
041 0 |a eng 
044 |a ne 
080 |a 546.28:548.0  |2 UDC-MRF 
080 |a 621.382  |2 UDC-MRF 
100 1 |a Chantre, A. 
111 0 |a Proceedings of symp. B on science and technology of the 1989 E-MRS conf.  |d (30 May - 2 June 1989 :  |c France, Strasbourg) 
242 1 0 |a Defekty v kremíku 
245 1 0 |a Defects in silicon :  |b Proceedings of symp. B on science and technology of the 1989 E-MRS conf., Strasbourg, France, 30 May - 2 June 1989 /  |c Authors: A. Chantre and Co. ; Red.: C. A. J. Ammerlaan, P. Wagner 
250 |a [1st ed.] 
260 |a Amsterdam :  |b North-Holland Publishing,  |c 1989 
300 |a XII, 505 s. :  |b fotogr., grafy, lit., obr., tab. ; 
490 0 |a European Materials Research Society symposia proceedings  |v Vol. 9 
653 1 |a rast kremíkových kryštálov  |a implantácia iónov  |a bodový defekt  |a aktivácia prímesí kovu  |a rýchle tepelné spracúvanie  |a fotoluminiscencia 
692 |a GM VD ML PO MM 
700 1 |a Ammerlaan, C. A. J.  |4 edt 
700 1 |a Wagner, P. 
760 1 |t European materials research soc. symposia  |g Vol. 9 
910 |b A548418 
919 |a 0-444-88619-2 
974 |f Knihy 
992 |a AZN 
999 |c 94569  |d 94569