Modulation-doped field-effect transistors. Principles, design, and technology /
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Médium: | Kniha |
| Jazyk: | angličtina |
| Vydáno: |
New York :
Institute of Electrical and Electronics Engineers Press,
1991
|
| Vydání: | [1st ed.] |
| Témata: | |
| ISBN: | 0879422556 |
| On-line přístup: |
|
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 003 | SK-BrCVT | ||
| 005 | 20220617192101.0 | ||
| 008 | 951104s1991 xxu e ||||||eng d | ||
| 020 | |a 0879422556 | ||
| 035 | |a CVTIDW0933323 | ||
| 040 | |b slo |a CVTI SR | ||
| 041 | 0 | |a eng | |
| 044 | |a xxu | ||
| 080 | |a 621.382.323 |2 UDC-MRF | ||
| 100 | 1 | |a Daembkes, Heinrich | |
| 242 | 1 | 0 | |a Modulačne dopované tranzistory FEP. Základy, navrhovanie a technológia |
| 245 | 1 | 0 | |a Modulation-doped field-effect transistors. Principles, design, and technology / |c authors: Heinrich Daembkes ... [et al.] |
| 250 | |a [1st ed.] | ||
| 260 | |a New York : |b Institute of Electrical and Electronics Engineers Press, |c 1991 | ||
| 300 | |a XI, 523 s. : |b fotogr., grafy, lit., obr., tab. ; | ||
| 653 | 1 | |a energetická hladina |a vlastnosť nosiča |a numerická simulácia |a analytický popis | |
| 655 | 4 | |a zborníky | |
| 692 | |a GM VD ML PO MM | ||
| 910 | |b A548298 | ||
| 919 | |a 0-87942-255-6 | ||
| 974 | |f Knihy | ||
| 992 | |a AZN | ||
| 999 | |c 94167 |d 94167 | ||