Fundamental processes in SiO2 under ion bombardment /
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Médium: | Diplomová práca Kniha |
| Jazyk: | English |
| Vydavateľské údaje: |
Göteborg :
Chalmers Tekniska Högskola,
1993
|
| Vydanie: | [1st ed.] |
| Predmet: | |
| ISBN: | 9170328307 |
| On-line prístup: |
|
| Tagy: |
Pridať tag
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 003 | SK-BrCVT | ||
| 005 | 20220617171138.0 | ||
| 008 | 931124s1993 sw e ||||||eng d | ||
| 020 | |a 9170328307 | ||
| 035 | |a CVTIDW0915753 | ||
| 040 | |b slo |a CVTI SR | ||
| 041 | 0 | |a eng | |
| 044 | |a sw | ||
| 080 | |a 546.284-31:537.533.2(043.3) |2 UDC-MRF | ||
| 080 | |a 538.971:546.284-31(043.3) |2 UDC-MRF | ||
| 100 | 1 | |a Jacobsson, Harald | |
| 242 | 1 | 0 | |a Dôležité procesy v SiO2 ako dôsledok bombardovania iónmi |
| 245 | 1 | 0 | |a Fundamental processes in SiO2 under ion bombardment / |c Harald Jacobsson |
| 250 | |a [1st ed.] | ||
| 260 | |a Göteborg : |b Chalmers Tekniska Högskola, |c 1993 | ||
| 300 | |a [120 s.] : |b grafy, lit., obr., tab. ; | ||
| 502 | |d 4. 6. 1993 | ||
| 653 | 1 | |a elektrónová emisia |a pokovovanie rozprašovaním |a izolátor | |
| 910 | |b A540281 | ||
| 919 | |a 91-7032-830-7 | ||
| 974 | |f Knihy | ||
| 992 | |a DDZ | ||
| 999 | |c 75558 |d 75558 | ||