Untersuchungen tiefer Haftstellen an Grenzflächen von Feldeffekttransistoren /
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Médium: | Diplomová práce Kniha |
| Jazyk: | němčina |
| Vydáno: |
Hannover :
Universität,
1992
|
| Vydání: | [1. Aufl.] |
| Témata: | |
| On-line přístup: |
|
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 003 | SK-BrCVT | ||
| 005 | 20220617164428.0 | ||
| 008 | 930630s1992 gw e ||||||ger d | ||
| 035 | |a CVTIDW0912181 | ||
| 040 | |b slo |a CVTI SR | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 044 | |a gw | ||
| 080 | |a 621.382.323(043.3) |2 UDC-MRF | ||
| 080 | |a 621.315.592(043.3) |2 UDC-MRF | ||
| 100 | 1 | |a Lee, Gyoo-Yeong | |
| 242 | 1 | 0 | |a Skúmanie hlbokých adhéznych miest na hraničných plochách tranzistorov riadených poľom |
| 245 | 1 | 0 | |a Untersuchungen tiefer Haftstellen an Grenzflächen von Feldeffekttransistoren / |c Gyoo-Yeong Lee |
| 250 | |a [1. Aufl.] | ||
| 260 | |a Hannover : |b Universität, |c 1992 | ||
| 300 | |a 127 s. : |b grafy, lit., obr., tab. ; | ||
| 502 | |d 2. 7. 1992 | ||
| 653 | 1 | |a polovodič |a MOS dióda | |
| 910 | |b A537888 | ||
| 974 | |f Knihy | ||
| 992 | |a DDZ | ||
| 999 | |c 69550 |d 69550 | ||