Das Temperaturverhalten von barrierengesteurten Silizium- PNP- Dioden /

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Schaffer, Herbert
Format: Book
Language:German
Published: München : Technická univerzita, 1985
Online Access: Get full text
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

MARC

LEADER 00000nam a2200000 4500
003 SK-BrCVT
005 20220617161013.0
008 880101s1985 gw e ||||||ger d
035 |a CVTIDW0907774 
040 |b slo  |a CVTI SR 
041 0 |a ger 
044 |a gw 
080 |a 621.385.2  |2 UDC-MRF 
100 1 |a Schaffer, Herbert 
242 1 0 |a Tepelné vlastnosti bariérovo riadených kremíkových PNP- diód 
245 1 4 |a Das Temperaturverhalten von barrierengesteurten Silizium- PNP- Dioden /  |c Herbert Schaffer 
260 |a München :  |b Technická univerzita,  |c 1985 
300 |a 118 s. 
692 |a LN MM 
910 |b A464973 
974 |f Knihy 
992 |a DDZ 
999 |c 58721  |d 58721