Characterization and modeling of electrically active point defects in silicon/silicon dioxide structures /
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Médium: | Diplomová práce Kniha |
| Jazyk: | angličtina |
| Vydáno: |
Göteborg :
Chalmers Tekniska Högskola,
1991
|
| Vydání: | 1st ed. |
| Edice: | TECHNICAL report
No. 220 |
| Témata: | |
| ISBN: | 9170326320 |
| On-line přístup: |
|
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 003 | SK-BrCVT | ||
| 005 | 20220617154919.0 | ||
| 008 | 920226s1991 sw e ||||||eng d | ||
| 020 | |a 9170326320 | ||
| 035 | |a CVTIDW0898169 | ||
| 040 | |b slo |a CVTI SR | ||
| 041 | 0 | |a eng | |
| 044 | |a sw | ||
| 080 | |a 538.9(043.3) |2 UDC-MRF | ||
| 080 | |a 537.311.322(043.3) |2 UDC-MRF | ||
| 080 | |a 621.315.592(043.3) |2 UDC-MRF | ||
| 080 | |a 621.38(043.3) |2 UDC-MRF | ||
| 100 | 1 | |a Andersson, Mats O. | |
| 242 | 1 | 0 | |a Charakteristika a modelovanie elektricky aktívnych bodových defektov v dioxidových štruktúrach kremík/kremík |
| 245 | 1 | 0 | |a Characterization and modeling of electrically active point defects in silicon/silicon dioxide structures / |c Mats O. Andersson |
| 250 | |a 1st ed. | ||
| 260 | |a Göteborg : |b Chalmers Tekniska Högskola, |c 1991 | ||
| 300 | |a Preruš. str. : |b grafy, lit., obr., tab. ; | ||
| 490 | 0 | |a TECHNICAL report |v No. 220 | |
| 502 | |d 20. 12. 1991 | ||
| 653 | 1 | |a polovodičová elektronika |a izolačná tenká vrstva |a šum |a fotoemisia |a rozhranie | |
| 692 | |a HA VD JM MM | ||
| 760 | 1 | |t Technical report | |
| 910 | |b A528381 | ||
| 919 | |a 91-7032-632-0 | ||
| 974 | |f Knihy | ||
| 992 | |a DDZ | ||
| 999 | |c 53191 |d 53191 | ||