Characterization and modeling of electrically active point defects in silicon/silicon dioxide structures /
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Médium: | Diplomová práce Kniha |
| Jazyk: | angličtina |
| Vydáno: |
Göteborg :
Chalmers Tekniska Högskola,
1991
|
| Vydání: | 1st ed. |
| Edice: | TECHNICAL report
No. 220 |
| Témata: | |
| ISBN: | 9170326320 |
| On-line přístup: |
|
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
| Fyzický popis: | Preruš. str. : grafy, lit., obr., tab. ; |
|---|---|
| ISBN: | 9170326320 |