The influence of process-induced defects on electrical properties of silicon junctions /

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Andersson, Gert Ingvar
Format: Buch
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Göteborg : Chalmers Tekniska Högskola, 1992
Ausgabe:1st ed.
Schriftenreihe:Technical report No. 226
Schlagworte:
mikroelektronika > spektroskopia > vodivosť > defekt kryštálový
ISBN:9170326754
Online-Zugang: Volltext
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Beschreibung
Beschreibung:Preruš. str. : grafy, lit., obr., tab. ;
ISBN:9170326754

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