Progress in surface science : an International review journal. Volume 8, Number 5, electronic states at the silicon-silicon dioxide interface /

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Cheng, Y. C. (Autor)
Další autoři: Davison, Sydney G. (Editor)
Médium: Kniha
Jazyk:angličtina
Vydáno: Oxford : Pergamon Press, 1977
Témata:
On-line přístup: Získat plný text
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

MARC

LEADER 00000nam a22000007a 4500
005 20251111135743.0
008 251106s1977 xxka|||f | || 00| 0 eng d
020 |q (brož.) 
040 |a CVT  |b slo  |c CVT  |d CVT  |e AACR2 
041 0 |a eng  |b eng 
044 |a xxk  |c UK 
072 7 |2 CVT  |a 544 
080 1 |a 544.6  |2 2011 
080 1 |a 546.286  |2 2011 
100 |a Cheng, Y. C.   |4 aut 
245 1 0 |a Progress in surface science :  |b an International review journal.  |n Volume 8, Number 5,   |p electronic states at the silicon-silicon dioxide interface /  |c Y. C. Cheng ; editor: Sydney G. Davison 
246 3 0 |a Electronic states at the silicon-silicon dioxide interface 
260 |a Oxford :  |b Pergamon Press,  |c 1977 
300 |a 181-218 s. :   |b ilust., lit. ;  |c 28 cm 
504 |a Lit. na s. 215-216 
653 |a elektrochémia 
700 1 T |a Davison, Sydney G.  |4 edt 
910 |b A382747 
919 |a 0-08-022922-0 
959 |a 12 
974 |a Katarína Repatá  |b Rita Zubonyaiová 
992 |a AMG  |a BCA 
999 |c 304088  |d 304088