Transmission electron microscopy of InxGa1-xAs/GaAs strained-layer structures /

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Yao, ji-Yong
Format: Buch
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Göteborg : Chalmers Tekniska Högskola, 1990
ISBN:9170325103
Online-Zugang: Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

MARC

LEADER 00000nam a2200000 4500
003 SK-BrCVT
005 20220617130330.0
008 880101s1990 sw e ||||||eng d
020 |a 9170325103 
035 |a CVTIDW0881535 
040 |b slo  |a CVTI SR  |e AACR2 
041 0 |a eng 
044 |a sw 
080 |a 621.3.032.262  |2 UDC-MRF 
080 |a 546.19.02  |2 UDC-MRF 
080 |a 546.681.02  |2 UDC-MRF 
080 |a 546.682.02  |2 UDC-MRF 
080 |a 537.12  |2 UDC-MRF 
100 1 |a Yao, ji-Yong 
242 1 0 |a Prenosová elektrónová mikroskopia štruktúr s InxGa1-xAs/GaAs s namáhanou vrstvou 
245 1 0 |a Transmission electron microscopy of InxGa1-xAs/GaAs strained-layer structures /  |c ji-Yong Yao 
260 |a Göteborg :  |b Chalmers Tekniska Högskola,  |c 1990 
300 |a Preruš. str. :  |b grafy, lit., obr., tab. ; 
692 |a PO MM 
910 |b A518001 
919 |a 91-7032-510-3 
974 |f Knihy 
992 |a DDZ 
999 |c 30246  |d 30246