Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires and Their Field-Effect Transistors

This book explores the impacts of important material parameters on the electrical properties of indium arsenide (InAs) nanowires, which offer a promising channel material for low-power electronic devices due to their small bandgap and high electron mobility. Smaller diameter nanowires are needed in...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Fu, Mengqi (VerfasserIn)
Format: Elektronisch E-Book
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Singapore : Springer Singapore , 2018.
Ausgabe:1st ed. 2018.
Schriftenreihe:Springer Theses, Recognizing Outstanding Ph.D. Research,
Schlagworte:
ISBN:9789811334443
ISSN:2190-5053
Online-Zugang: Volltext
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