Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT

This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs). It introduces the small-signal equivalent circuit of SiGe HBTs including the distributed effects, and proposes a novel direct analytical extraction technique...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Sun, Yabin (VerfasserIn)
Format: Elektronisch E-Book
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Singapore : Springer Singapore , 2018.
Ausgabe:1st ed. 2018.
Schriftenreihe:Springer Theses, Recognizing Outstanding Ph.D. Research,
Schlagworte:
ISBN:9789811046124
ISSN:2190-5053
Online-Zugang: Volltext
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