Trennung von Volumen- und Oberflächenrekombination in Silizium /
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Médium: | Diplomová práce Kniha |
| Jazyk: | němčina |
| Vydáno: |
München :
Technická univerzita,
1998
|
| Vydání: | [1. Aufl.] |
| Edice: | Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie
Vol. 13 |
| Témata: | |
| ISBN: | 3932749138 |
| On-line přístup: |
|
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 003 | SK-BrCVT | ||
| 005 | 20220617204347.0 | ||
| 008 | 001001s1998 gw e ||||||ger d | ||
| 020 | |a 3932749138 | ||
| 035 | |a CVTIDW0955714 | ||
| 040 | |b slo |a CVTI SR | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 044 | |a gw | ||
| 080 | |a 621.3.08 |2 UDC-MRF | ||
| 080 | |a 531.7:621.317 |2 UDC-MRF | ||
| 080 | |a 546.28:543.08 |2 UDC-MRF | ||
| 100 | 1 | |a Ostendorf, Hans-Christoph | |
| 242 | 1 | 0 | |a Oddeľovanie objemovej a povrchovej rekombinácie v kremíku |
| 245 | 1 | 0 | |a Trennung von Volumen- und Oberflächenrekombination in Silizium / |c Hans-Christoph Ostendorf |
| 250 | |a [1. Aufl.] | ||
| 260 | |a München : |b Technická univerzita, |c 1998 | ||
| 300 | |a VI, 128 s. : |b fotogr., grafy, lit., obr., tab. ; | ||
| 490 | 0 | |a Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie |v Vol. 13 | |
| 502 | |d 26. 1. 1998 | ||
| 653 | 1 | |a nedeštruktívne meranie |a polovodič | |
| 760 | 1 | |t Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie |g Vol. 13 | |
| 910 | |b A574813 | ||
| 919 | |a 3-932749-13-8 | ||
| 974 | |f Knihy | ||
| 992 | |a DDZ | ||
| 999 | |c 118241 |d 118241 | ||