Zobrazit v EDS

Элементный состав поверхности стали Ст40Х, модифицированной ионно-ассистированным осаждением тонких пленок на основе Al, Ti, Cr, W

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Název: Элементный состав поверхности стали Ст40Х, модифицированной ионно-ассистированным осаждением тонких пленок на основе Al, Ti, Cr, W
Informace o vydavateli: БГТУ, 2024.
Rok vydání: 2024
Témata: механические свойства, ионно-ассистированное осаждение, осаждение тонких пленок, ионно-лучевое модифицирование, модифицирование материалов, электрохимические свойства
Popis: На сталь Ст40Х наносились покрытия на основе Al, Ti, Cr, W методом ионно-ассистированного осаждения в условиях саморадиации. Энергия ассистирующих ионов составляла 15 кэВ при интеграль­ных потоках 1-1016—1•1017 ион/см'2. С помощью резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с компьютерным моделированием проводился послойный элементный анализ полученных структур. Установлено, что в сформированные структуры входят, кроме атомов, основы покрытия Me (10—30 ат.%), атомы кислорода (10—30 ат.%), углерода (5—10 ат.%) и атомов материала подложки железа (20-30 ат.%). Обсуждены причины, приводящие к формированию сложного композиционного состава структур покрытие/Ст40Х.
Druh dokumentu: Article
Popis souboru: application/pdf
Jazyk: Russian
Přístupová URL adresa: https://elib.belstu.by/handle/123456789/65948
Přístupové číslo: edsair.od......3992..6e4d5b231442e4ef2b1f889a9b2b2e06
Databáze: OpenAIRE
Popis
Abstrakt:На сталь Ст40Х наносились покрытия на основе Al, Ti, Cr, W методом ионно-ассистированного осаждения в условиях саморадиации. Энергия ассистирующих ионов составляла 15 кэВ при интеграль­ных потоках 1-1016—1•1017 ион/см'2. С помощью резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с компьютерным моделированием проводился послойный элементный анализ полученных структур. Установлено, что в сформированные структуры входят, кроме атомов, основы покрытия Me (10—30 ат.%), атомы кислорода (10—30 ат.%), углерода (5—10 ат.%) и атомов материала подложки железа (20-30 ат.%). Обсуждены причины, приводящие к формированию сложного композиционного состава структур покрытие/Ст40Х.