Bibliographische Detailangaben
| Titel: |
Model of Digital Image of Metallization Layer of Application Specific Integrated Circuit on Gate-array |
| Quelle: |
Промышленные АСУ и контроллеры. |
| Verlagsinformationen: |
The Publishing House "NAUCHTEHLITIZDAT", 2019. |
| Publikationsjahr: |
2019 |
| Schlagwörter: |
application specific integrated circuits, reverse engineering, параметрическое моделирование изображений, базовый матричный кристалл, обратное проектирование, специализированные интегральные микросхемы, gate-array, parametric image modeling |
| Beschreibung: |
В статье предложен способ параметрического моделирования цифровых изображений, подобных цифровым изображениям слоев металлизации кристаллов специализированных интегральных микросхем на базовом матричном кристалле. Предлагаемый способ моделирования учитывает особенности процесса и канала получения изображений слоев металлизации кристаллов микросхем в процессе обратного проектирования, а также особенности пространственного положения переходных отверстий. Представлен моделирующий алгоритм, разработанный на основе предлагаемой модели. The article proposed a method of parametric modeling of digital images contain integrated circuits on gatearray metallization layers. The proposed method of modeling takes into account the peculiarities of process and the channel of obtaining of the metallization layers of integrated circuits crystals in process of reverse engineering, as well as the spatial position of the vias. A modeling algorithm developed based on the proposed model is present. |
| Publikationsart: |
Article |
| Sprache: |
Russian |
| ISSN: |
1561-1531 |
| DOI: |
10.25791/asu.10.2019.936 |
| Dokumentencode: |
edsair.doi...........ba20be3b653b9b182801c33f87ab5c8b |
| Datenbank: |
OpenAIRE |
Nájsť tento článok vo Web of Science