Improved polymer residuals removing after the graphene transfer to enhance sensors performance
Uloženo v:
| Název: | Improved polymer residuals removing after the graphene transfer to enhance sensors performance |
|---|---|
| Autoři: | Barsukov, Leonty, Nekrasov, Nikita, Romashkin, Alexey, Bobrinetskiy, Ivan, Levin, Denis, Nevolin, Vladimir |
| Informace o vydavateli: | St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2023. |
| Rok vydání: | 2023 |
| Témata: | polymer removal, перенос графена, sensor, сенсор, полиметилметакрилат, graphene transfer, удаление полимера, polymethylmethacrylate |
| Popis: | Graphene transfer using polymers as a supporting layer makes sensors with exceptional yield and few defects. It is still an issue to make scalable and versatile high-purity graphene transfer method. Current-voltage slope and hence the sensitivity of the graphene-based devices are limited by the residual polymer left after the transfer process that forms local defects and trapped states quenching charge transfer. Due to the strong interactions between polymer and graphene, residual removal remains an important problem to solve. In this work graphene on Cu foil was covered using spin-coating of poly(methyl methacrylate) (PMMA) with different molecular masses and the addition of a low volatile additive. The film obtained was transferred onto Si/SiO2 substrates. In order to remove PMMA residues multiple cleaning techniques with different solvents were used and compared to each other; new methods were developed. The quality of the purified graphene was studied by analyzing AFM, Raman and fluorescence spectroscopy data. The structure was При переносе графена с использованием полиметилметакрилата удается формировать высокочувствительные сенсоры на основе графена с высокой воспроизводимостью геометрических параметров канала на микроуровне и малой дефектностью. Однако, удаление остаточного полимера остаётся актуальной проблемой. Было осуществлен перенос графена с использованием ПММА с различной молекулярной массой на Si/SiO2 подложки. Для удаления слоя ПММА сравнивались различные методики с применением широко используемых растворителей. При использовании наиболее эффективной методики очистки, толщина перенесённого графена с остаточным ПММА составила менее 1 нм, а соотношение 2D/G составило ~5. С помощью разработанных методик удаления остаточного ПММА может быть обеспечено увеличение чувствительности для недорогих многоразовых сенсоров на основе графена. |
| Druh dokumentu: | Conference object |
| Jazyk: | English |
| DOI: | 10.18721/jpm.161.307 |
| Přístupové číslo: | edsair.doi...........476b21919e7deb505ee9dc035a8c3d17 |
| Databáze: | OpenAIRE |
Nájsť tento článok vo Web of Science | Abstrakt: | Graphene transfer using polymers as a supporting layer makes sensors with exceptional yield and few defects. It is still an issue to make scalable and versatile high-purity graphene transfer method. Current-voltage slope and hence the sensitivity of the graphene-based devices are limited by the residual polymer left after the transfer process that forms local defects and trapped states quenching charge transfer. Due to the strong interactions between polymer and graphene, residual removal remains an important problem to solve. In this work graphene on Cu foil was covered using spin-coating of poly(methyl methacrylate) (PMMA) with different molecular masses and the addition of a low volatile additive. The film obtained was transferred onto Si/SiO2 substrates. In order to remove PMMA residues multiple cleaning techniques with different solvents were used and compared to each other; new methods were developed. The quality of the purified graphene was studied by analyzing AFM, Raman and fluorescence spectroscopy data. The structure was<br />При переносе графена с использованием полиметилметакрилата удается формировать высокочувствительные сенсоры на основе графена с высокой воспроизводимостью геометрических параметров канала на микроуровне и малой дефектностью. Однако, удаление остаточного полимера остаётся актуальной проблемой. Было осуществлен перенос графена с использованием ПММА с различной молекулярной массой на Si/SiO2 подложки. Для удаления слоя ПММА сравнивались различные методики с применением широко используемых растворителей. При использовании наиболее эффективной методики очистки, толщина перенесённого графена с остаточным ПММА составила менее 1 нм, а соотношение 2D/G составило ~5. С помощью разработанных методик удаления остаточного ПММА может быть обеспечено увеличение чувствительности для недорогих многоразовых сенсоров на основе графена. |
|---|---|
| DOI: | 10.18721/jpm.161.307 |