Zobrazit v EDS

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА МОНОКРИСТАЛЛОВ SIC И УРАВНЕНИЯ НАВЬЕ-СТОКСА

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Název: МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА МОНОКРИСТАЛЛОВ SIC И УРАВНЕНИЯ НАВЬЕ-СТОКСА
Zdroj: Вестник Академии наук Чеченской Республики.
Informace o vydavateli: Academy of Sciences of the Chechen Republic, 2023.
Rok vydání: 2023
Témata: массоперенос, heat transfer, mass transfer, теплоперенос, уравнение Навье-Стокса, Navier-Stokes equation
Popis: Определена система уравнений тепло-, массопереноса Навье-Стокса для диффузии компонент смеси газов и найдено приближенное аналитическое решение, описывающее стационарную стадию процесса роста монокристаллов карбида кремния для диодов и светодиодов. Получены распределения температур и концентраций компонент смеси в ростовой камере. Определены радиальные профили скорости роста кристаллов на начальной и конечной стадиях роста.Оценка значений скорости роста кристалла согласуется с результатами численных расчетов других авторов и данных опытов. A system of Navier-Stokes heat and mass transfer equations for the diffusion of gas mixture components has been determined and an approximate analytical solution has been found that describes the stationary stage of the growth process of silicon carbide single crystals for diodes and light-emitting diodes. The distributions of temperatures and concentrations of the mixture components in the growth chamber have been obtained. The radial profiles of the crystal growth rate at the initial and final stages of growth have been determined. The estimate of the crystal growth rate is consistent with the results of numerical calculations by other authors and experimental data.
Druh dokumentu: Article
Jazyk: Russian
ISSN: 2076-2348
DOI: 10.25744/vestnik.2023.62.3.003
Přístupové číslo: edsair.doi...........2f2ccf6e7ccf6380c3af9cc9cae4a32e
Databáze: OpenAIRE
Popis
Abstrakt:Определена система уравнений тепло-, массопереноса Навье-Стокса для диффузии компонент смеси газов и найдено приближенное аналитическое решение, описывающее стационарную стадию процесса роста монокристаллов карбида кремния для диодов и светодиодов. Получены распределения температур и концентраций компонент смеси в ростовой камере. Определены радиальные профили скорости роста кристаллов на начальной и конечной стадиях роста.Оценка значений скорости роста кристалла согласуется с результатами численных расчетов других авторов и данных опытов. A system of Navier-Stokes heat and mass transfer equations for the diffusion of gas mixture components has been determined and an approximate analytical solution has been found that describes the stationary stage of the growth process of silicon carbide single crystals for diodes and light-emitting diodes. The distributions of temperatures and concentrations of the mixture components in the growth chamber have been obtained. The radial profiles of the crystal growth rate at the initial and final stages of growth have been determined. The estimate of the crystal growth rate is consistent with the results of numerical calculations by other authors and experimental data.
ISSN:20762348
DOI:10.25744/vestnik.2023.62.3.003