In EDS ansehen

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА МОНОКРИСТАЛЛОВ SIC И УРАВНЕНИЯ НАВЬЕ-СТОКСА

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Titel: МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА МОНОКРИСТАЛЛОВ SIC И УРАВНЕНИЯ НАВЬЕ-СТОКСА
Quelle: Вестник Академии наук Чеченской Республики.
Verlagsinformationen: Academy of Sciences of the Chechen Republic, 2023.
Publikationsjahr: 2023
Schlagwörter: массоперенос, heat transfer, mass transfer, теплоперенос, уравнение Навье-Стокса, Navier-Stokes equation
Beschreibung: Определена система уравнений тепло-, массопереноса Навье-Стокса для диффузии компонент смеси газов и найдено приближенное аналитическое решение, описывающее стационарную стадию процесса роста монокристаллов карбида кремния для диодов и светодиодов. Получены распределения температур и концентраций компонент смеси в ростовой камере. Определены радиальные профили скорости роста кристаллов на начальной и конечной стадиях роста.Оценка значений скорости роста кристалла согласуется с результатами численных расчетов других авторов и данных опытов. A system of Navier-Stokes heat and mass transfer equations for the diffusion of gas mixture components has been determined and an approximate analytical solution has been found that describes the stationary stage of the growth process of silicon carbide single crystals for diodes and light-emitting diodes. The distributions of temperatures and concentrations of the mixture components in the growth chamber have been obtained. The radial profiles of the crystal growth rate at the initial and final stages of growth have been determined. The estimate of the crystal growth rate is consistent with the results of numerical calculations by other authors and experimental data.
Publikationsart: Article
Sprache: Russian
ISSN: 2076-2348
DOI: 10.25744/vestnik.2023.62.3.003
Dokumentencode: edsair.doi...........2f2ccf6e7ccf6380c3af9cc9cae4a32e
Datenbank: OpenAIRE
FullText Text:
  Availability: 0
CustomLinks:
  – Url: https://www.webofscience.com/api/gateway?GWVersion=2&SrcApp=EBSCO&SrcAuth=EBSCO&DestApp=WOS&ServiceName=TransferToWoS&DestLinkType=GeneralSearchSummary&Func=Links&author=
    Name: ISI
    Category: fullText
    Text: Nájsť tento článok vo Web of Science
    Icon: https://imagesrvr.epnet.com/ls/20docs.gif
    MouseOverText: Nájsť tento článok vo Web of Science
Header DbId: edsair
DbLabel: OpenAIRE
An: edsair.doi...........2f2ccf6e7ccf6380c3af9cc9cae4a32e
RelevancyScore: 906
AccessLevel: 3
PubType: Academic Journal
PubTypeId: academicJournal
PreciseRelevancyScore: 905.557983398438
IllustrationInfo
Items – Name: Title
  Label: Title
  Group: Ti
  Data: МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА МОНОКРИСТАЛЛОВ SIC И УРАВНЕНИЯ НАВЬЕ-СТОКСА
– Name: TitleSource
  Label: Source
  Group: Src
  Data: <i>Вестник Академии наук Чеченской Республики</i>.
– Name: Publisher
  Label: Publisher Information
  Group: PubInfo
  Data: Academy of Sciences of the Chechen Republic, 2023.
– Name: DatePubCY
  Label: Publication Year
  Group: Date
  Data: 2023
– Name: Subject
  Label: Subject Terms
  Group: Su
  Data: <searchLink fieldCode="DE" term="%22массоперенос%22">массоперенос</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22heat+transfer%22">heat transfer</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22mass+transfer%22">mass transfer</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22теплоперенос%22">теплоперенос</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22уравнение+Навье-Стокса%22">уравнение Навье-Стокса</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22Navier-Stokes+equation%22">Navier-Stokes equation</searchLink>
– Name: Abstract
  Label: Description
  Group: Ab
  Data: Определена система уравнений тепло-, массопереноса Навье-Стокса для диффузии компонент смеси газов и найдено приближенное аналитическое решение, описывающее стационарную стадию процесса роста монокристаллов карбида кремния для диодов и светодиодов. Получены распределения температур и концентраций компонент смеси в ростовой камере. Определены радиальные профили скорости роста кристаллов на начальной и конечной стадиях роста.Оценка значений скорости роста кристалла согласуется с результатами численных расчетов других авторов и данных опытов. A system of Navier-Stokes heat and mass transfer equations for the diffusion of gas mixture components has been determined and an approximate analytical solution has been found that describes the stationary stage of the growth process of silicon carbide single crystals for diodes and light-emitting diodes. The distributions of temperatures and concentrations of the mixture components in the growth chamber have been obtained. The radial profiles of the crystal growth rate at the initial and final stages of growth have been determined. The estimate of the crystal growth rate is consistent with the results of numerical calculations by other authors and experimental data.
– Name: TypeDocument
  Label: Document Type
  Group: TypDoc
  Data: Article
– Name: Language
  Label: Language
  Group: Lang
  Data: Russian
– Name: ISSN
  Label: ISSN
  Group: ISSN
  Data: 2076-2348
– Name: DOI
  Label: DOI
  Group: ID
  Data: 10.25744/vestnik.2023.62.3.003
– Name: AN
  Label: Accession Number
  Group: ID
  Data: edsair.doi...........2f2ccf6e7ccf6380c3af9cc9cae4a32e
PLink https://erproxy.cvtisr.sk/sfx/access?url=https://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&site=eds-live&db=edsair&AN=edsair.doi...........2f2ccf6e7ccf6380c3af9cc9cae4a32e
RecordInfo BibRecord:
  BibEntity:
    Identifiers:
      – Type: doi
        Value: 10.25744/vestnik.2023.62.3.003
    Languages:
      – Text: Russian
    Subjects:
      – SubjectFull: массоперенос
        Type: general
      – SubjectFull: heat transfer
        Type: general
      – SubjectFull: mass transfer
        Type: general
      – SubjectFull: теплоперенос
        Type: general
      – SubjectFull: уравнение Навье-Стокса
        Type: general
      – SubjectFull: Navier-Stokes equation
        Type: general
    Titles:
      – TitleFull: МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА МОНОКРИСТАЛЛОВ SIC И УРАВНЕНИЯ НАВЬЕ-СТОКСА
        Type: main
  BibRelationships:
    IsPartOfRelationships:
      – BibEntity:
          Dates:
            – D: 28
              M: 12
              Type: published
              Y: 2023
          Identifiers:
            – Type: issn-print
              Value: 20762348
            – Type: issn-locals
              Value: edsair
          Titles:
            – TitleFull: Вестник Академии наук Чеченской Республики
              Type: main
ResultId 1