Výsledky vyhľadávania - "молекулярно-лучевая эпитаксия"

Experimental Study of NBνN Barrier Structures Based on MBE n-HgCdTe for MWIR and LWIR Photodetectors

Autori: Voytsekhovskiy, Alexander V. Dzyadukh, Stanislav M. Gorn, Dmitriy Igorevich a ďalší

Zdroj: Journal of communications technology and electronics. 2023. Vol. 68, № 3. P. 334-337

Predmety: адмиттанс, барьерная структура, молекулярно-лучевая эпитаксия, импеданс, 7. Clean energy, вольт-амперная характеристика

Prístupová URL adresa: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001016871

Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors

Autori: Babichev, Andrey Papylev, Denis Komarov, Sergey a ďalší

Predmety: арсенид галлия, InGaAs, planar microcavity, планарный вертикальный микрорезонатор, механизм Странски-Крастанова, Stransky-Krastanow growth mode, molecular-beam epitaxy, молекулярно-лучевая эпитаксия, gallium arsenide

Ab initio study of In adsorption on AlxGa1–xAs substrates at the first stages of droplet epitaxy

Autori: Dukhan, Denis Balakirev, Sergey Voloshina, Elena a ďalší

Predmety: капельная эпитаксия, А3В5, surface mobility, quantum dots, indium, теория функционала плотности, молекулярно-лучевая эпитаксия, droplet epitaxy, molecular beam epitaxy, индий, поверхностная подвижность, квантовые точки, III-V, density functional theory

КВАНТОВЫЙ РАЗМЕРНЫЙ ЭФФЕКТ БЛОХОВСКИХ ВОЛНОВЫХ ФУНКЦИЙ ЭЛЕКТРОНОВ СВЕРХВЫСОКОЙ ЭНЕРГИИ В ТОНКОЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКЕ

Predmety: quantum size effect, molecular beam epitaxy, тонкие монокристалли­ческие пленки, electron diffraction, surface, блоховские волны, квантовый размерный эффект, дифракция электронов, молекулярно-лучевая эпитаксия, thin single-crystal films, поверхность, Bloch waves

Diffusion Limitation of Dark Current in the nBn Structures Based on the MBE HgCdTe

Autori: Voytsekhovskiy, Alexander V. Nesmelov, Sergey N. Dzyadukh, Stanislav M. a ďalší

Zdroj: Journal of communications technology and electronics. 2022. Vol. 67, № 3. P. 308-312

Predmety: темновой ток, 0103 physical sciences, инфракрасные детекторы, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, 01 natural sciences, диффузионное ограничение

Prístupová URL adresa: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000925757

СОЗДАНИЕ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР CaF2-CoSi2–Si

Autori: Эгамбердиев, Б. Э. Мусаджановаа, Д. А. Мусажанова, Н. А. a ďalší

Zdroj: ARXITEKTURA, MUHANDISLIK VA ZAMONAVIY TEXNOLOGIYALAR JURNALI; Vol. 3 No. 4 (2024): ARXITEKTURA, MUHANDISLIK VA ZAMONAVIY TEXNOLOGIYALAR JURNALI; 11-14

Predmety: эпитаксия, молекулярно-лучевая эпитаксия, эпитаксиальная пленка, термическая очистка, температура

Popis súboru: application/pdf

Relation: https://sciencebox.uz/index.php/arxitektura/article/view/10370/9478; https://sciencebox.uz/index.php/arxitektura/article/view/10370

Dostupnosť: https://sciencebox.uz/index.php/arxitektura/article/view/10370

Unipolar Semiconductor Barrier Structures for Infrared Photodetector Arrays (Review)

Autori: Burlakov, I. D. Kulchitskii, N. A. Voytsekhovskiy, Alexander V. a ďalší

Zdroj: Journal of communications technology and electronics. 2021. Vol. 66, № 9. P. 1084-1091

Predmety: 0103 physical sciences, инфракрасные фотодиоды, барьерная структура, молекулярно-лучевая эпитаксия, арсенид галлия-индия, 02 engineering and technology, инфракрасные фотодетекторы, 0210 nano-technology, 7. Clean energy, 01 natural sciences, униполярная структура, матрица фокальной плоскости

Prístupová URL adresa: https://link.springer.com/article/10.1134/S1064226921090035
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000924556

An Experimental Study of the Dynamic Resistance in Surface Leakage Limited nBn Structures Based on HgCdTe Grown by Molecular Beam Epitaxy

Autori: A. V. Voitsekhovskii S. N. Nesmelov S. M. Dzyadukh a ďalší

Zdroj: Journal of electronic materials. 2021. Vol. 50, № 8. P. 4599-4605

Predmety: униполярные барьерные детекторы, 0103 physical sciences, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, 01 natural sciences, nBn-структура

Popis súboru: application/pdf

Prístupová URL adresa: https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-021-09001-8
http://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2021JEMat..50.4599V/abstract
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893725

Single-photon avalanche diode detectors based on group IV materials

Autori: Izhnin, Igor I. Lozovoy, Kirill A. Kokhanenko, Andrey P. a ďalší

Zdroj: Applied nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 253-263

Predmety: лавинные фотодиоды, двумерные материалы, квантовая информационная технология, германий, 0103 physical sciences, кремниевые фотоумножители, однофотонные детекторы, молекулярно-лучевая эпитаксия, 7. Clean energy, 01 natural sciences, кремний

Prístupová URL adresa: https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2021ApNan.tmp...50I/abstract
https://link.springer.com/article/10.1007/s13204-021-01667-0
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000927185

Influence of As+ Ion Implantation on Properties of MBE HgCdTe Near-Surface Layer Characterized by Metal–Insulator–Semiconductor Techniques

Autori: A. V. Voitsekhovskii S. N. Nesmelov S. M. Dzyadukh a ďalší

Zdroj: Journal of electronic materials. 2021. Vol. 50, № 4. P. 2323-2330

Predmety: ионная имплантация, варизонные слои, адмиттанс, 0103 physical sciences, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, МДП-структуры, 0210 nano-technology, 01 natural sciences, теллурид кадмия-ртути

Popis súboru: application/pdf

Prístupová URL adresa: https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2021JEMat..50.2323V/abstract
https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-021-08752-8
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893721

The Effect of As+ Ion Implantation and Annealing on the Electrical Properties of Near-Surface Layers in Graded-Gap n-Hg0.78Cd0.22Te Films

Autori: D. V. Marin M. V. Yakushev Nikolay N. Mikhailov a ďalší

Zdroj: Technical physics letters. 2021. Vol. 47, № 2. P. 189-192

Predmety: ионная имплантация, адмиттанс, 0103 physical sciences, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, МДП-структуры, 0210 nano-technology, 01 natural sciences

Prístupová URL adresa: https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2021TePhL..47..189V/abstract
https://link.springer.com/article/10.1134/S1063785021020309
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893727

Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe

Autori: I. I. Izhnin A. V. Voitsekhovskii S. N. Nesmelov a ďalší

Zdroj: Applied nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 403-409

Predmety: МДП-структура, барьерный слой, адмиттанс, 0103 physical sciences, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, 01 natural sciences, nBn-структура, теллурид кадмия-ртути

Prístupová URL adresa: https://link.springer.com/article/10.1007/s13204-020-01636-z
http://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2021ApNan.tmp...11I/abstract
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000927125

Dark currents of unipolar barrier structures based on mercury cadmium telluride for long-wave inred detectors

Autori: Sergey A. Dvoretsky Sergey N. Nesmelov A. V. Voitsekhovskii a ďalší

Zdroj: Russian physics journal. 2021. Vol. 64, № 5. P. 763-769

Predmety: темновой ток, 0103 physical sciences, инфракрасные детекторы, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, пассивация, 0210 nano-technology, 7. Clean energy, 01 natural sciences, nBn-структура, теллурид кадмия-ртути

Prístupová URL adresa: https://link.springer.com/article/10.1007/s11182-021-02390-7
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893723

STUDY THE EFFECTS OF CONDITIONS OF MOLECULAR BEAM EPITAXY ON THE MORPHOLOGY AND SPECTRAL CHARACTERISTICS OF HETEROSTRUCTURES GE/SI AND GESI/SI

Autori: Vyacheslav Lapin Fyodor Maljavin Igor Sysoev

Zdroj: Наука. Инновации. Технологии, Vol 0, Iss 2, Pp 43-58 (2022)

Predmety: молекулярно-лучевая эпитаксия, атомно-силовая микроскопия, комбинационное рассеяние света, гетероструктуры gexsi1-x/si, эпитаксиальный рост, сверхструктурные домены, “hut-кластеры”, “dome-кластеры”, эпитаксиальные структуры, molecular beam epitaxy, atomic force microscopy, raman scattering, heterostructures gexsi1-x / si, epitaxial growth, the superstructure domains, "hut-clusters, "dome-clusters, epitaxial structures, Geography (General), G1-922

Popis súboru: electronic resource

Relation: https://scienceit.elpub.ru/jour/article/view/465; https://doaj.org/toc/2308-4758

Prístupová URL adresa: https://doaj.org/article/564dca92859f484a9527d3ac7a596200

Impedance of MIS devices based on nBn structures from mercury cadmium telluride

Autori: A.V. Voitsekhovskii null et al.

Zdroj: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8-15

Predmety: инфракрасные детекторы, молекулярно-лучевая эпитаксия, МДП-приборы, импеданс, nBn-структура, теллурид кадмия-ртути

Popis súboru: application/pdf

Prístupová URL adresa: http://journals.tsu.ru/uploads/import/1995/files/8-15.pdf
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000722847

Growth of Germanium Quantum Dots on Oxidized Silicon Surface

Autori: Kokhanenko, Andrey P. Akimenko, Nataliya Yu. Dirko, Vladimir V. a ďalší

Zdroj: Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 296-302

Predmety: функция распределения по размерам, германий, наногетероструктуры, Фольмера-Вебера механизм, оксид кремния, критическая толщина, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, кремний, поверхностная плотность, 0103 physical sciences, квантовые точки, 0210 nano-technology

Popis súboru: application/pdf

Prístupová URL adresa: https://link.springer.com/article/10.1007/s11182-020-02035-1
https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2020RuPhJ..63..296L/abstract
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000794756

Investigation of the Effect of Thermal Annealing on the Electrical Properties of the Near-Surface Layer of MBE n-HgCdTe Using MIS Techniques

Autori: A. V. Voitsekhovskii S. N. Nesmelov S. M. Dzyadukh a ďalší

Zdroj: Journal of electronic materials. 2020. Vol. 49, № 5. P. 3202-3208

Predmety: адмиттанс, термический отжиг, варизонный слой, 0103 physical sciences, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, еллурид кадмия-ртути, 0210 nano-technology, 01 natural sciences

Popis súboru: application/pdf

Prístupová URL adresa: https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-020-08005-0
https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2020JEMat..49.3202V/abstract
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000795383

Admittance of Barrier Structures Based on Mercury Cadmium Telluride

Autori: Sergey A. Dvoretsky G. Yu. Sidorov A. V. Voitsekhovskii a ďalší

Zdroj: Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 3. P. 432-445

Predmety: адмиттанс, 0103 physical sciences, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, 0210 nano-technology, 01 natural sciences, nBn-структура, теллурид кадмия-ртути

Popis súboru: application/pdf

Prístupová URL adresa: https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s11182-020-02054-y.pdf
http://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2020RuPhJ..63..432V/abstract
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000792269

Исследование электрофизических свойств компонентов транзисторов на основе 2D полупроводников: выпускная квалификационная работа бакалавра

Predmety: four-probe method, фторид кальция, laser energy density on the target, молекулярно-лучевая эпитаксия, high-temperature annealing, 2D полупроводники, высокотемпературный отжиг, calcium fluoride, плотность энергии лазера на мишени, tungsten disulfide, molecular beam epitaxy, tungsten diselenide, дисульфид вольфрама, импульсное лазерное осаждение, четырехзондовый метод, pulsed laser deposition, диселенид вольфрама, 2D semiconductors

Двумерные материалы на основе элементов групп VA и VIA: методы получения и перспективы использования

Zdroj: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 8. С. 80-90

Predmety: фосфор, 2D-кристаллы, теллур, молекулярно-лучевая эпитаксия, селенен, висмутен, антимонен, теллурен, арсенен, висмут, мышьяк, сурьма, фосфорен, селен

Popis súboru: application/pdf

Prístupová URL adresa: https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001006670