Výsledky vyhledávání - "ТОПОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ"
-
1
Autoři:
Zdroj: International Journal for Computational Civil and Structural Engineering. 18:101-110
Témata: topology, topological modeling, 0211 other engineering and technologies, 02 engineering and technology, cell, топологическое моделирование, топологические таблицы, линейный комплекс, ячейка, топология, linear complex, polyhedral partition, topological tables, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, полиэдральное разбиение, соседство, neighborhood
-
2
Autoři:
Zdroj: Science & Technique; Том 17, № 1 (2018); 72-78 ; НАУКА и ТЕХНИКА; Том 17, № 1 (2018); 72-78 ; 2414-0392 ; 2227-1031 ; 10.21122/2227-1031-2018-17-1
Témata: пороговое напряжение, process flow, physic-topological simulation, device-process simulation, “virtual production”, channel stopper, metal contact, threshold voltage, технологический маршрут, физико-топологическое моделирование, приборно-технологическое моделирование, «виртуальное производство», охранное кольцо, металлический контакт
Popis souboru: application/pdf
Relation: https://sat.bntu.by/jour/article/view/1317/1236; Дудар, Н. Л. Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией / Н. Л. Дудар // Доклады Белор. гос. ун-та информатики и радиоэлектроники. 2005. № 2 (10). C. 79–85.; Исмаилов, Т. А. Технологическое решение по улучшению параметров кристалла биполярного со статической индукцией транзистора / Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева, П. Р. Захарова // Вестник Дагест. гос. техн. ун-та. 2011. Т. 20, № 1. С. 6–11.; Silvaco [Electronic Resource]. Mode of access: http://www.silvaco.com/products/tcad.html.; Компьютерная программа MOD-1D: св-во о гос. рег. № 742 Респ. Беларусь / Н. Л. Лагунович; заявитель ОАО «ИНТЕГРАЛ», № t 20140041; зап. в Реестре, зарегистрированных в Нац. центре интеллект. собств. комп. программ 10.03.2015.; МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / под ред. П. Антонетти [и др.]: пер. с англ. М.: Радио и связь, 1988. 490 с.; Gummel, H. K. A Self Consistent Iterative Scheme for One-Dimentional Steady State Transistor Calculations / H. K. Gummel // IEEE Trans. Electron. Dev. 1964. Vol. ED-11, No 10. P. 455–465. DOI:10.1109/t-ed.1964.15364.; Польский, Б. С. Численное моделирование полупроводниковых приборов / Б. С. Польский. Рига: Зинатне, 1986. 168 с.; Автоматизация проектирования БИС: в 6 кн. / под ред. Г. Г. Казеннова. М.: Высш. шк., 1990. Кн. 5: Физикотопологическое моделирование структур элементов БИС / В. Я. Кремлев. 144 с.; Нелаев, В. В. Основы САПР в микроэлектронике / В. В. Нелаев, В. Р. Стемпицкий. Минск: БГУИР, 2008. 220 с.; Самарский, А. А. Методы решения сеточных уравнений / А. А. Самарский, Е. С. Николаев. М.: Наука, 1978. 532 с.; https://sat.bntu.by/jour/article/view/1317
-
3
Autoři: ЦИБУЛЬСКИЙ Л.Ю.
Popis souboru: text/html
-
4
Autoři:
Témata: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ, ТОПОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ
Popis souboru: text/html
-
5
Autoři:
Popis souboru: text/html
-
6
Autoři: Панкратова, А.
Popis souboru: text/html
-
7
Zdroj: Вісник Національного технічного університету України Київський політехнічний інститут. Серія: Радіотехніка. Радіоапаратобудування.
Popis souboru: text/html
-
8
Autoři:
Přispěvatelé:
Témata: фізико-топологічне моделювання, математична модель, индукционный испаритель, математическая модель, чисельні методи, numerical methods, физико-топологическое моделирование, численные методы, physical-topological modeling, індукційний випарник, mathematical model, inductive evaporator
Popis souboru: application/pdf
Přístupová URL adresa: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/15427
-
9
Zdroj: Вестник Новгородского государственного университета им. Ярослава Мудрого.
Témata: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ, ТОПОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ
Popis souboru: text/html
-
10
Zdroj: Горный информационно-аналитический бюллетень (научно-технический журнал).
Popis souboru: text/html
-
11
Zdroj: Вестник Ульяновского государственного технического университета.
Popis souboru: text/html
-
12
Autoři:
Zdroj: Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць, Вип. 63
Témata: фізико-топологічне моделювання, індукційний випарник, чисельні методи, математична модель, physical-topological modeling, inductive evaporator, numerical methods, mathematical model, физико-топологическое моделирование, индукционный испаритель, численные методы, математическая модель, 621:389, 621.3.01
Popis souboru: С. 107-118; application/pdf
Relation: Цибульский Л. Ю. Физико-топологическое моделирование индукционного испарителя металлов / Цибульский Л. Ю. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2015. – Вип. 63. – С. 107–118. – Бібліогр.: 6 назв.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/15427
Dostupnost: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/15427
-
13
Autoři:
Zdroj: International Journal for Computational Civil and Structural Engineering
-
14
Autoři:
Zdroj: BIM-моделирование в задачах строительства и архитектуры
-
15
Additional Titles: Improved Process Flow for Formation of Bipolar Static Induction Transistor
Autoři: Лагунович, Н. Л.
Témata: Биполярный транзистор со статической индукцией, Технологический маршрут, Физико-топологическое моделирование, Приборно-технологическое моделирование, «Виртуальное производство», Охранное кольцо, Металлический контакт, Пороговое напряжение, Device-process simulation, Bipolar static induction transistor, Process flow, Physic-topological simulation, “Virtual production”, Channel stopper, Metal contact, Threshold voltage, Статья (Article)
Nájsť tento článok vo Web of Science